PN8680M概述：
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8680M产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ 无需额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)
PN8680M封装/订购信息：
注：PN8680M原边反馈低功耗电源芯片输出功率是在环境温度45℃的密闭式应用情形下测试。
PN8680M管脚定义: | 管脚名 | 管脚标号 | 管脚功能描述 |
| VDD | 1 | 工作电压输入引脚 |
| GND | 2 | 地电位 |
| FB | 3 | 反馈引脚，辅助绕组电压通过电阻反馈稳定输出 |
| CS | 4 | 电流检测引脚 |
| SW | 5,6,7,8 | 智能功率MOSFET Drain端引脚，跟变压器初级相连 |
PN8680M典型应用电路图：
PN8680M极限工作范围：
VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~40V
FBCS 脚耐压………………...……….…………-0.3~5.5V
SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~650V
结工作温度范围……….…..….…..…...….….-40~150℃
存储温度范围………………………....…. ….-55~150℃
管脚焊接温度 （10秒）……………..……………...260℃
封装热阻RθJC （SOP-8）…...........……………….80℃/W
人体模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±4kV
漏极脉冲电流（Tpulse=100us）………….…….…..…..…3A
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